Seminárna práca: Mikrovlnné monolitické integrované obvody

Pokrok GaAs technológii na začiatku osemdesiatych rokov umožnil vývoj mikrovlnných monolitických integrovaných obvodov (MMIO). Všetky aktívne i pasívne prvky sú vytvárané resp. implantované na substráte, ktorým musí byť polovodič, aby bolo možné ďalej vytvárať aktívne prvky.Takto je možné realizovať na kremíkovom substráte bipolárne tranzistory a dalej tiež MESFETy na kombinácii kremík-safír (silicon on safir - SOS) použiteľné až do pasma jednotiek GHz. Pri submikrónovej dĺžke kanálu je možné použiť GaAs-FETy do frekvencií okolo 60 GHz. Je treba zdôrazniť, že GaAs FETy sú velmi univerzálnými prvkami, ktoré je možné použiť v nízkošumových zosilňovačoch, zosilňovačoch s vysokým ziskom, zmiešavačoch, oscilátoroch, posúvačoch fázy, prepínačoch atď. GaAs je preto najčastejšie využívaným substrátom pre MMIO, no Si, SOS a InP sa tiež používajú.