Seminárna práca: Epitaxný rast
Skryť detaily | Obľúbený- Kvalita:50,0 %
- Typ:Seminárna práca
- Kategória:Prírodné vedy
- Podkategória:Fyzika
- Predmet:Aplikovaná fyzika
- Autor:bushatko
- Rozsah A4:3 strán
- Zobrazené:610 x
- Stiahnuté:0 x
- Veľkosť:0,8 MB
- Formát a prípona:MS Office Word (.doc)
- Jazyk:slovenský
- ID projektu:34731
- Posledna úprava:02.06.2010
Existujú dve techniky, ktoré sa bežne používajú pre rast III-V epitaxných heteroštruktúr s hrúbkou vrstvy niekoľko monolayers (monovrstiev)(kde monovrstva je a/2 a teda ~3Å pre III-V materiály). Tieto techniky sú epitaxia molekulovým zväzkom (Molecular Beam Epitaxy-MBE) a MOVCD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition-MOCVD). Všeobecne, zlúčeniny založené na GaAs môžu rásť za použitia techniky MBE, zatiaľčo technika MOCVD je použitá zásadne pri raste epitaxných vrstiev, ktorá začleňuje vrstvy India Fosfátu.