Fotorezistor sa vyrába naparením vrstvy vhodného polovodičového materiálu (CdS, CdSe pre viditeľné svetlo alebo CdTe pre infračervené žiarenie) na keremicku podložku. Súčiastka ma z pravidla tvar meandru pre zväčšenie odporu súčiastky a puzdro je upravene tak aby na svetlo citlivú vrstvu mohlo dopadať svetlo alebo žiarenie. Odpor fotorezistoru za tmy je veľmi vysoký 106 až 109 Ω.