Depozícia tenkých vrstiev metódami PVD
Základom procesov prípravy tenkých vrstiev je depozícia ( nanesenie ) látky
z plynného stavu ( VD – Vapour Deposition ) na substrát. Spoločným znakom týchto
metód je depozícia pri zníženom tlaku, čo uľahčuje prenos častíc nanášanej látky
na základný materiál. K priemyselnej aplikácií tenkých oteruvzdorných vrstiev
sa pristúpilo koncom 60. rokov dvadsiateho storočia.
Prvým využitím bola aplikácia
TiC vrstvy metódou CVD na rezné platničky zo spekaných karbidov. Keďže v 70.
rokoch došlo k rozšíreniu používania nástrojov z rýchlorezných ocelí, ktorých
popúšťacia teplota je na hranici 560°C, stali sa metódy CVD pre vysokú teplotu
povlakovacích procesov nevhodné. Pre zvýšenia trvanlivosti nástrojov z rýchlorezných
ocelí boli vyvinuté technológie PVD, ktoré túto podmienku ( hranica 560°C ) spĺňali.
Široké uplatnenie tenkých vrstiev vytvorených metódami PVD a CVD
je predovšetkým v oblasti obrábacích a tvárniacich nástrojov a tiež veľmi namáhaných
strojných súčasti. Práve tieto metódy posúvajú hranicu obrábatateľnosti
ťažkoobrábateľných materiálov smerom k ideálnemu reznému materiálu ( Obr. 1 ).
Jedna z možností vytvárania tenkých vrstiev ma základ vo fyzikálnych
princípoch odparovania, alebo naprašovania materiálu na povrch substrátu,
čo predstavujú metódy PVD. Druhý spôsob, označovaný ako metódy CVD, spočíva
v tvorbe vrstiev vplyvom chemických reakcií reaktívnych plynov.
...