Fotorezistor je dvojpól. jehož odpor výrazně závisí na ozáření. Vyrábějí se zpravidla napařením vrstvy vhodného polovodičového materiálu (např. CdS, CdSe pro viditelné světlo nebo CdTe pro infračervené záření) na keramickou podložku. Aby se dosáhlo většího odporu součástky,má polovodičová vrstva tvar meandru. Pouzdro ]e upraveno tak, aby na citlivou vrstvu mohlo dopadat světlo (záření). Nemění-li se ozáření fotorezistoru, zůstává i jeho odpor stálý a voltampérové charakteristiky tvoří soustavu s parametrem osvětlení. Závislost odporu fotorezistoru na osvětlení je přibližně logaritmická. Všechny fotorezistory jsou oproti ostatním fotoelektrickým součástkám velmi pomalé. Doba náběhu a doběhu se podle materiálu a technologie pohybuje od 100 ms do 100 s.
Používá se pro měření intenzity osvětlení, v požárních hlásičích, v expozimetrech, apod.