Analýza: Cenovo efektívne riešenie 2W GaAs MMIC zosilňovača
Skryť detaily | Obľúbený- Kvalita:62,9 %
- Typ:Analýza
- Kategória:Technika
- Podkategória:Technológia
- Predmet:Bezpečnosť technických systémov
- Autor:bushatko
- Ročník:1. ročník
- Rozsah A4:3 strán
- Zobrazené:960 x
- Stiahnuté:0 x
- Veľkosť:0,1 MB
- Formát a prípona:MS Office Word (.doc)
- Jazyk:slovenský
- ID projektu:31865
- Posledna úprava:30.04.2010
V nedávnych rokoch bola technológia GaAs HBT úspešne rozvinutá pre nízko- a strednovýkonové vysokofrekvenčné MMIC zosilňovače. Spoločnosť EiC Corp. ako prvá začala používať InGaP emitor pre vf výkonové zosilňovače a prvá predstavila zosilňovacie bloky v roku 1998. InGaP/GaAs HBT prvky preukázali lepšie vlastnosti a viac spoľahlivosti než ich AlGaAs/GaAs HBT predchodcovia. V dnešnej dobe už aj iní výrobcovia polovodičových súčiastiek nasledovali vývoj a InGaP HBT produkty postupne vytláčajú AlGaAs produkty.