Seminárna práca: Bipoláme tranzistory v monolitickom obvode
Skryť detaily | Obľúbený- Kvalita:53,8 %
- Typ:Seminárna práca
- Kategória:Prírodné vedy
- Podkategória:Fyzika
- Predmet:Aplikovaná fyzika
- Autor:bushatko
- Rozsah A4:3 strán
- Zobrazené:370 x
- Stiahnuté:1 x
- Veľkosť:0,1 MB
- Formát a prípona:MS Office Word (.doc)
- Jazyk:slovenský
- ID projektu:34729
- Posledna úprava:02.06.2010
Medzi štruktúrou diskrétneho epitaxne planárneho tranzistora (obr.4) a integrovaného tranzistora, znázorneného na obr.3b, je na prvý pohľad viditeľný rozdiel. Diskrétny tranzistor má vývod kolektora umiestnený na spodnej strane základného plátku a prúd kolektora sa uzaviera substrátom s veľkou vodivosťou. Preto má tranzistor veľmi dobré spínacie vlastnosti.
Pri integrovanom tranzistore musí byť kolektor spolu s ostatnými vývodmi vyvedený na spoločnú spojovaciu rovinu.
Pri integrovanom tranzistore musí byť kolektor spolu s ostatnými vývodmi vyvedený na spoločnú spojovaciu rovinu.